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BSK10-D

配單專家企業(yè)名單
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  • BSK10-D
    BSK10-D

    BSK10-D

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-621049316210489162104578

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Panduit Corp

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品,

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
BSK10-D PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Panduit Corp
  • 功能描述
  • BUTT SPLICE, KYNAR INSULATED,
  • 制造商
  • Panduit Corp
  • 功能描述
  • BUTT SPLICE, KYNAR INSULATED, 12 - 10 AW
BSK10-D 技術(shù)參數(shù)
  • BSHORTNOSE 功能描述:PLIERS COMBO SHORT NOSE 6.5" 制造商:jonard tools 系列:- 零件狀態(tài):有效 工具類型:組合 尖頭 - 類型:短嘴 尖頭 - 形狀:成角度 鉗口?- 類型:有齒 特性:壓槽,包括剝線器,軟握把 長度:6.50"(165.1mm) 重量:0.4 磅(181.44g) 標準包裝:10 BSH207,135 功能描述:MOSFET P-CH 12V 1.52A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.52A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 1A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):500pF @ 9.6V 功率 - 最大值:417mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 BSH205G2VL 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.3A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.3A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):6.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):418pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):480mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):170 毫歐 @ 2A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:10,000 BSH205G2R 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):6.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):418pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):480mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):170 毫歐 @ 2A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BSH205,215 功能描述:MOSFET P-CH 12V 0.75A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):750mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 430mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):680mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):200pF @ 9.6V 功率 - 最大值:417mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標準包裝:1 BSL207NH6327XTSA1 BSL207NL6327HTSA1 BSL207SP BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPL6327HTSA1 BSL211SP BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPL6327HTSA1 BSL211SPT BSL214NH6327XTSA1 BSL214NL6327HTSA1 BSL215CH6327XTSA1 BSL215CL6327HTSA1 BSL215PL6327HTSA1 BSL296SNH6327XTSA1 BSL302SNH6327XTSA1 BSL302SNL6327HTSA1 BSL303SPEH6327XTSA1
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