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BSP135 E6906

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  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
  • RoHS
  • 類(lèi)別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
  • 系列
  • SIPMOS®
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)
  • 邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類(lèi)型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
BSP135 E6906 技術(shù)參數(shù)
  • BSP135 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):120mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):45 歐姆 @ 120mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 94μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):4.9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP130,115 功能描述:MOSFET N-CH 300V 350MA SC73 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):300V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):350mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):120pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.5W(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 250mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP129L6906HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 350mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 108μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):5.7nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):108pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP129L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 350mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 108μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):5.7nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):108pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP129H6906XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 350mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 108μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):5.7nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):108pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP149H6327XTSA1 BSP149H6906XTSA1 BSP149L6327HTSA1 BSP149L6906HTSA1 BSP16T1 BSP16T1G BSP170PE6327 BSP170PE6327T BSP170PH6327XTSA1 BSP170PL6327HTSA1 BSP171PE6327 BSP171PE6327T BSP171PH6327XTSA1 BSP171PL6327HTSA1 BSP179H6327XTSA1 BSP18-3K BSP19,115 BSP19AT1
配單專(zhuān)家

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