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BSP135H6906XTSA1
北京京北通宇電子元件有限公司
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聯(lián)系人：王
電話：13969210552
地址：中國上海
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優(yōu)勢庫存，原裝正品

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北京京北通宇電子元件有限公司
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聯(lián)系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
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天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
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聯(lián)系人：洪寶宇
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深圳市德力誠信科技有限公司
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資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
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深圳市德力誠信科技有限公司
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深圳市眾芯微電子有限公司
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聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
9800
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PG-SOT223-4
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BSP135H6906XTSA1
北京首天偉業(yè)科技有限公司
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聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
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標(biāo)準(zhǔn)封裝
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百分百原裝假一罰十

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功能描述
MOSFET 600V 60 Ohm 0.02Amp
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
30 V
閘/源擊穿電壓
漏極連續(xù)電流
180 mA
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
4.5 Ohms
配置
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOT-416
封裝
Reel

BSP135H6906XTSA1 技術(shù)參數(shù)

BSP135H6433XTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):有效標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 BSP135H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP135 E6906 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP135 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 120mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.9nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:146pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT223-4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BSP130,115 功能描述:MOSFET N-CH 300V 350MA SC73 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:350mA（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:120pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 250mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSP149L6906HTSA1 BSP16T1 BSP16T1G BSP170PE6327 BSP170PE6327T BSP170PH6327XTSA1 BSP170PL6327HTSA1 BSP171PE6327 BSP171PE6327T BSP171PH6327XTSA1 BSP171PL6327HTSA1 BSP179H6327XTSA1 BSP18-3K BSP19,115 BSP19AT1 BSP19AT1G BSP19TA BSP220,115