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BSS123LT3

配單專家企業(yè)名單
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  • 供應(yīng)商
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • BSS123LT3
    BSS123LT3

    BSS123LT3

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ON

  • SOT-23-3

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • BSS123LT3
    BSS123LT3

    BSS123LT3

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ON SEMI

  • NULL

  • NULL

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET 100V 170mA N-Channel
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BSS123LT3 技術(shù)參數(shù)
  • BSS123LT1G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 100mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):20pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS123LT1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 100mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):20pF @ 25V 功率 - 最大值:225mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSS123L7874XT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.67nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):69pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS123L6433HTMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.67nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):69pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS123L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 170mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.67nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):69pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS-125-01-C-D-A BSS-125-01-F-D BSS-125-01-F-D-A BSS-125-01-H-D BSS-125-01-H-D-A BSS-125-01-L-D BSS-125-01-L-D-A BSS-125-01-L-D-A-TR BSS126 E6327 BSS126 E6906 BSS126 H6327 BSS126 H6906 BSS126H6327XTSA1 BSS126H6327XTSA2 BSS126H6906XTSA1 BSS126L6327HTSA1 BSS126L6906HTSA1 BSS127 E6327
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