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BSS8402DW-13

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 封裝
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  • 操作
  • BSS8402DW-13-F
    BSS8402DW-13-F

    BSS8402DW-13-F

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李燕兵

    電話：82525918

    地址：深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • DIODES

  • SOT363

  • 22+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨供應

  • BSS8402DW-13-F
    BSS8402DW-13-F

    BSS8402DW-13-F

  • 中山市翔美達電子科技有限公司
    中山市翔美達電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開發(fā)區(qū)中山港大道99號金盛廣場1棟613室

  • 9000

  • NXP

  • QFP

  • 20+

  • -

  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

  • BSS8402DW-13-F
    BSS8402DW-13-F

    BSS8402DW-13-F

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • DIODES/美臺

  • NA

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • BSS8402DW-13-F
    BSS8402DW-13-F

    BSS8402DW-13-F

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 10000

  • DIODES INC.

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -

  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • BSS8402DW-13-F
    BSS8402DW-13-F

    BSS8402DW-13-F

  • 深圳市澤芯微科技有限公司
    深圳市澤芯微科技有限公司

    聯(lián)系人：柯小姐

    電話：0755-8273028382732023

    地址：中航路新亞洲國利大廈A座24層12室

  • 1400

  • diodes

  • sot363

  • 1033+

  • -

  • 進口原裝現(xiàn)貨，一定自己庫存

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
BSS8402DW-13 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
BSS8402DW-13 技術參數
  • BSS84_D87Z 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:130mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.3nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:73pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:10,000 BSS84,215 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:130mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:45pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:250mW（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 歐姆 @ 130mA，10V 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSS84 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:130mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 歐姆 @ 100mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.3nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:73pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BSS83PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:330mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 330mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 80μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.57nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:78pF @ 25V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BSS83PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:330mA（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 80μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.57nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:78pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 330mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSS84AKS,115 BSS84AKS/ZLX BSS84AKT,115 BSS84AKV,115 BSS84AKVL BSS84AKW,115 BSS84AKW-BX BSS84DW-7 BSS84DW-7-F BSS84LT1 BSS84LT1G BSS84P E6433 BSS84P H6327 BSS84P-E6327 BSS84PH6327XTSA1 BSS84PH6327XTSA2 BSS84PH6433XTMA1 BSS84PL6327HTSA1
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