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BUK6E3R4-40C

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • 飛利浦NXP

  • I2PAK

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  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
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    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • NXP/恩智浦

  • SOT226

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  • BUK6E3R4-40C
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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 127

  • 4995

  • 1521+

  • NXP SEMIC

  • -

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  • 1
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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFETN CH40V100ASOT226
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET,N CH,40V,100A,SOT226
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET,N CH,40V,100A,SOT226, Transistor Polarity
BUK6E3R4-40C 技術(shù)參數(shù)
  • BUK6E3R2-55C,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:258nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:15300pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 BUK6E2R3-40C,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:260nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:15100pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.3 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 BUK6E2R0-30C,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:229nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:14964pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 BUK6D43-60EX 功能描述:BUK6D43-60E SOT1220 SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:590pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:15W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2） 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 BUK6D43-40PX 功能描述:BUK6D43-40P SOT1220 SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14A（Tc） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:36nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1260pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:15W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2） 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 BUK7109-75ATE,118 BUK714R1-40BT,118 BUK7207-30B,118 BUK7208-40B,118 BUK7210-55B,118 BUK7210-55B/C1,118 BUK7212-55B,118 BUK7213-40A,118 BUK7214-75B,118 BUK72150-55A,118 BUK7215-55A,118 BUK7219-55A,118 BUK7222-55A,118 BUK7225-55A,118 BUK7226-75A,118 BUK7226-75A/C1,118 BUK7227-100B,118 BUK7230-55A,118
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