BUK7E2R3-40C,127

配單專家企業(yè)名單

型號
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數(shù)量
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封裝
批號
價格
說明
操作

BUK7E2R3-40C,127
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
I2PAK
18+
-
MOSFET N-CH 40V 100A...

BUK7E2R3-40C,127
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
Nexperia
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

BUK7E2R3-40C,127
深圳市企諾德電子有限公司
深圳市企諾德電子有限公司
聯(lián)系人：胡
電話：13480313979
地址：深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場54樓5403B-5404AB
資質：營業(yè)執(zhí)照
15000
NXP
N/A
22+
-
原裝正品專業(yè)BOM配單

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BUK7E2R3-40C,127 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BUK7E2R3-40C,127 PDF下載

功能描述
MOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 276A 3pin(3+Tab)
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BUK7E2R3-40C,127 技術參數(shù)

BUK7E1R9-40E,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:118nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:9700pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:324W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.9 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 BUK7E1R8-40E,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:145nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:11340pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:349W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 BUK7E1R6-30E,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:154nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11960pF @ 25V 功率 - 最大值:349W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 BUK7E13-60E,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:58A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1730pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:96W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 BUK7E11-55B,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:37nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2604pF @ 25V 功率 - 最大值:157W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 BUK7E8R3-40E,127 BUK7J1R4-40HX BUK7K12-60EX BUK7K134-100EX BUK7K13-60EX BUK7K15-80EX BUK7K17-60EX BUK7K17-80EX BUK7K18-40EX BUK7K23-80EX BUK7K25-40E,115 BUK7K29-100EX BUK7K32-100EX BUK7K35-60EX BUK7K45-100EX BUK7K52-60EX BUK7K5R1-30E,115 BUK7K5R6-30E,115