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    參數(shù)資料
    型號(hào): B1100C
    英文描述: solid state crowbar devices
    中文描述: 固態(tài)撬棍設(shè)備
    文件頁數(shù): 165/212頁
    文件大小: 1877K
    代理商: B1100C
    第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁當(dāng)前第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁
    Construction and Operation
    2002 Teccor Electronics
    SIDACtor
    Data Book and Design Guide
    5 - 3
    http://www.teccor.com
    +1 972-580-7777
    T
    Construction and Operation
    SIDACtor
    devices are thyristor devices used to protect sensitive circuits from electrical
    disturbances caused by lightning-induced surges, inductive-coupled spikes, and AC power
    cross conditions. The unique structure and characteristics of the thyristor are used to create
    an overvoltage protection device with precise and repeatable turn-on characteristics with
    low voltage overshoot and high surge current capabilities.
    Key Parameters
    Key parameters for
    SIDACtor
    devices are V
    DRM
    , I
    DRM
    , V
    S
    , I
    H
    , and V
    T
    , as shown in Figure 5.1.
    V
    DRM
    is the repetitive peak off-state voltage rating of the device (also known as stand-off
    voltage) and is the continuous peak combination of AC and DC voltage that may be applied
    to the
    SIDACtor
    device in its off-state condition. I
    DRM
    is the maximum value of leakage
    current that results from the application of V
    DRM
    . Switching voltage (V
    S
    ) is the maximum
    voltage that subsequent components may be subjected to during a fast-rising (100 V/μs)
    overvoltage condition. Holding current (I
    H
    ) is the minimum current required to maintain the
    device in the on state. On-state voltage (V
    T
    ) is the maximum voltage across the device
    during full conduction.
    Figure 5.1
    V-I Characteristics
    Operation
    The
    SIDACtor
    device operates much like a switch. In the off state, the device exhibits
    leakage currents (I
    DRM
    ) less than 5 μA, making it invisible to the circuit it is protecting. As a
    transient voltage exceeds the
    SIDACtor
    device’s V
    DRM
    , the device begins to enter its
    protective mode with characteristics similar to an avalanche diode. When supplied with
    enough current (I
    S
    ), the
    SIDACtor
    device switches to an on state, shunting the surge from
    the circuit it is protecting. While in the on state, the
    SIDACtor
    device is able to sink large
    I
    H
    I
    T
    I
    S
    I
    DRM
    V
    DRM
    V
    T
    +V
    -V
    +I
    -I
    V
    S
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