參數(shù)資料
型號: BA283
廠商: Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述: Silicon Planar Diodes
中文描述: 硅平面二極管
文件頁數(shù): 2/3頁
文件大?。?/td> 34K
代理商: BA283
BA282.BA283
Vishay Telefunken
Rev. 2, 01-Apr-99
2 (3)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85526
Electrical Characteristics
T
j
= 25 C
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Diode capacitance
Test Conditions
I
F
=100mA
V
R
=20 V
f=100MHz, V
R
=1V
f=100MHz, V
=3V
Type
Symbol
V
F
I
R
C
D
C
D
C
D
r
f
r
f
r
f
r
f
z
r
Min
Typ
Max
1
50
1.5
1.25
1.2
0.7
1.2
0.5
0.9
Unit
V
nA
pF
pF
pF
BA282
BA283
BA282
BA283
BA282
BA283
R
Differential forward
resistance
f=200MHz, I
=3mA
F
f=200MHz, I
=10mA
F
Reverse impedance
f=100MHz, V
R
=1V
100
k
Characteristics
(T
j
= 25 C unless otherwise specified)
0.1
1
10
0.1
1
10
100
r
f
I
F
– Forward Current ( mA )
100
94 9072
BA 282
BA 283
f=200MHz
T
j
=25
°
C
Figure 1. Differential Forward Resistance vs.
Forward Current
0.1
1
10
0
0.5
1.0
1.5
2.0
3.0
C
D
V
R
– Reverse Voltage ( V )
100
94 9073
2.5
BA 282
BA 283
f=100MHz
T
j
=25
°
C
Figure 2. Diode Capacitance vs. Reverse Voltage
Dimensions in mm
Cathode Identification
1.7 max.
0.55 max.
3.9 max.
26 min.
technical drawings
according to DIN
specifications
94 9366
Standard Glass Case
54 A 2 DIN 41880
JEDEC DO 35
Weight max. 0.3g
26 min.
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