參數(shù)資料
型號: BA582T3
英文描述: General Purpose PIN Diode
中文描述: 通用PIN二極管
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大?。?/td> 151K
代理商: BA582T3
BA5821FP
IC
!
使用上の注意
1. BA5821FP
では、サーマルシャットダウン回路を內(nèi)蔵しています。
チップ溫度が
175
°
C (Typ.)
になると出力電流がミュートされ、再びチップ溫度が
150
°
C (Typ.)
になるとドライバ部
回路が立ち上がります。
2.
バイアス端子
(1pin)
は、
0.7V
以下になるとミュートがかかります。
通常狀態(tài)では、
1.3V
以上にしてください。
3.
電源電圧が
3.8V (Typ.)
以下まで低下すると內(nèi)部回路が
OFF
し、再び
4.0V (Typ.)
まで上昇すると立ち上がります。
4.
サーマルシャットダウン、バイアス端子電圧の低下、および、電源電圧の低下で、全てのチャンネルの回路にミュ
ートがかかりますが、その際、出力端子は、內(nèi)部バイアス電圧
(V
CC
/2)
になります。
5.
ミュート端子電圧をオープン、または
0.5V
以下にすると、その対象のチャンネルの回路がミュート狀態(tài)になります。
通常使用狀態(tài)では、ミュート端子を
2V
以上にプルアップしてください。
6. 3
つのミュート端子を共にオープン、または、
0.5V
以下に下げると、回路電流をスタンバイ狀態(tài)にすることができ
ます。なお、切り替わりのスレッショルドは、約
1.4V
です。
7.
プリ部の
V
CC
は、パワー部の
V
CC
と同じもしくは、高い高圧を供給してください。
8.
供給電源間には、この
IC
の根元にパスコン
(0.1
μ
F
程度
)
を付けてください。
9. IC
GND
は、ピン電圧のなかで最低電位にしてください。
10.
放熱フィンは、パッケージ內(nèi)部で
PowGND
につながっていますが、外部の
GND
とつないでください。
11.
出力
pin
PowV
CC
間ショート(天絡)、出力
pin
GND
間ショート(地絡)、および出力
pin
間ショート(負荷シ
ョート)は避けてください。また、
IC
を基板に裝著する際は、
IC
の向きに十分ご注意ください。
IC
が破損し、
場合によっては発煙する恐れがあります。
!
電気的特性曲線
1
2
0
3
0
25
50
75
100
70mm
70mm
: 1.6mm
3%
125
150
175
P
AMBIENT TEMPERATURE : Ta (
°
C)
Fig.2
30
20
40
0
CH1
CH3
CH4
CH2
10
50
40
30
20
10
50
0
5
10
CC
=PV
CC
=Sweep
V
L
=8
+47
μ
H
R
15
O
C
SUPPLY VOLTAGE : V
CC
(V)
Fig.3
10
0
10
0
2.0
1.0
3.0
2.0
CC
=12
CC
1.2=12V, PV
CC
3=5V
V
R
L
=8
+47
μ
H
3.0
C
O
LIMIT INPUT VOLTAGE : V
IN
(V)
Fig.4 CH1
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