參數(shù)資料
型號(hào)： BAT120
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： Schottky barrier double diodes
中文描述： 雙肖特基勢(shì)壘二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 68K
代理商： BAT120
1998 Oct 30
3
Philips Semiconductors
Product specification
Schottky barrier double diodes
BAT120 series
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.02.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Refer to SOT223 standard mounting conditions.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
Per diode
V
R
I
F
I
FSM
continuous reverse voltage
25
V
continuous forward current
non-repetitive peak forward current
1
A
t
p
<
10 ms; half sinewave;
JEDEC method
t
p
= 100
μ
s
10
A
I
RSM
T
stg
T
j
T
amb
non-repetitive peak reverse current
65
65
0.5
A
°
C
°
C
°
C
storage temperature
+150
junction temperature
125
operating ambient temperature
+125
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
TYP.
MAX.
UNIT
Per diode
V
F
forward voltage
see Fig.5
I
F
= 100 mA
I
F
= 1 A
V
R
= 20 V; note 1; see Fig.6
V
R
= 25 V; note 1; see Fig.6
V
R
= 20 V; T
j
= 100
°
C; note 1
f = 1 MHz; V
R
= 4 V; see Fig.7
260
300
mV
400
450
mV
μ
A
mA
I
R
reverse current
80
100
500
1
10
mA
C
d
diode capacitance
pF
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
100
K/W
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PDF描述
BAT120SERIES Schottky barrier double diodes
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BAT140C Schottky Barrier (Double) Diodes
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