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參數(shù)資料
| 型號： | BC489ARLRA |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | CASE 29-04, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 190K |
| 代理商： | BC489ARLRA |
BC489, A, B
http://onsemi.com
230
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1.0 k
1.0
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(mA)
2.0
5.0
Figure 6. Active Region — Safe Operating Area
CURRENT LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
3.0
10
20
50
30
7.0
70 100
BC489
100 s
1.0 ms
1.0 s
TC = 25°C
TA = 25°C
Figure 7. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
400
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200
100
80
60
40
h FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ =125°C
25°C
-55°C
VCE = 1.0 V
300
500
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. “On” Voltages
V,
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.5
1.0
200
20
TJ = 25°C
VBE(on) @ VCE = 1.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
5.0
10
50
100
VBE(sat) @ IC/IB = 10
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 9. Collector Saturation Region
V CE
,COLLECT
OR-EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS
)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
10
1.0
TJ = 25°C
IC = 10 mA
0.05
0.2
0.5
2.0
5.0
20
100 mA
250 mA
50
mA
2.0
500
50
500 mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC490ARL1 | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| BC557RLRA | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| BC857C/T3 | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| BC857B/T4 | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| BC857T/R | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC489AZL1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC489AZL1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC489B | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Current Transistors(NPN Silicon) |
| BC489BRL1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| BC489BZL1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 80V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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