參數(shù)資料
型號： BC549
廠商： GE Security, Inc.
英文描述： Small Signal Transistors (NPN)
中文描述： 小信號晶體管（NPN）的
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 44K
代理商： BC549
1999 Apr 22
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN general purpose transistors
BC549; BC550
FEATURES
Low current (max. 100 mA)
Low voltage (max. 45 V).
APPLICATIONS
Low noise stages in audio frequency equipment.
DESCRIPTION
NPN transistor in a TO-92; SOT54 plastic package.
PNP complements: BC559 and BC560.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
emitter
base
collector
Fig.1
Simplified outline (TO-92; SOT54)
and symbol.
handbook, halfpage
1
3
2
MAM182
3
2
1
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BC549
BC550
collector-emitter voltage
BC549
BC550
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
30
50
V
V
V
CEO
open base
65
65
30
45
5
100
200
200
500
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
open collector
T
amb
≤
25
°
C; note 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC650 TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92
BC650C TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92
BC650CS TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92
BC650S TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92
BC651 TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC549_99 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
BC549_J35Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT GENERAL PURPOSE XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC549_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 100mA HFE/8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC549A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
BC549A A1 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*