參數(shù)資料
型號(hào)： BC81816
英文描述： Obsolete - alternative part: BCW66H
中文描述： 過時(shí)-替代部分：BCW66H
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： BC81816
KST-2004-000
3
BC818
Electrical Characteristic Curves
Fig. 2 I
C
- V
BE
Fig. 3 I
C
- V
CE
Fig. 4 V
CE(sat)
- I
C
Fig. 5 h
FE
-
I
C
Fig. 1 P
C
- T
a
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC818-16L TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23
BC81825 Obsolete - alternative part: BCW66H
BC818-40L TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23
BCW86 TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92VAR
BD815 TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-202
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC818-16 制造商:BILIN 制造商全稱:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:NPN General Purpose Amplifier
BC818-16/E8 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23
BC818-16/E9 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23
BC818-16-GS08 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC818-16L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23
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