參數(shù)資料
型號(hào)： BC81825
英文描述： Obsolete - alternative part: BCW66H
中文描述： 過(guò)時(shí)-替代部分：BCW66H
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 80K
代理商： BC81825
KST-2004-000
2
BC818
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°°°°C)
Characteristic
Symbol
Ratings
Unit
Collector-Base voltage
VCBO
30
V
Collector-Emitter voltage
VCEO
25
V
Emitter-Base voltage
VEBO
5V
Collector current
IC
800
mA
Collector dissipation
PC
200
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
-55~150
°C
Electrical Characteristics
(Ta=25
°°°°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
Collector-Emitter breakdown voltage
BV
CEO
I
C=1mA, IB=0
25
-
V
Base-Emitter turn on voltage
V
BE(ON)
V
CE=1V,
I
C=300mA
-
1.2
V
Collector-Emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C=500mA, IB=50mA
-
700
mV
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB=30V, IE=0
-
100
nA
DC current gain
h
FE
*
V
CE=1V, IC=100mA
100
-
630
-
Transition frequency
f
T
V
CB=5V, IC=10mA
-
100
-
MHz
Collector output capacitance
C
ob
V
CB=10V, IE=0, f=1MHz
-
16
-
pF
* : h
FE rank /
16(A) : 100 ~ 250,
25(B) : 160 ~ 400,
40(C) : 250 ~ 630
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC818-40L TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23
BCW86 TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92VAR
BD815 TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-202
BD817 TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-202
BG4524K Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC818-25 制造商:BILIN 制造商全稱(chēng):Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:NPN General Purpose Amplifier
BC818-25/E8 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | SOT-23
BC818-25/E9 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 25V, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage
BC818-25L 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23
BC81825MTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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