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      參數(shù)資料
      

      


      


      
型號：
BC847AT-7

      

      
英文描述：
TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-523

      

      
中文描述：
晶體管|晶體管|叩| 45V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|的SOT - 523

      

      
文件頁數(shù)：
1/3頁

      

      
文件大?。?/td>
60K

      

      
代理商：
BC847AT-7


      

      

      

	
      
    
    

    
      
	
      DS30274 Rev. A-2
      1 of 3
      BC847AT, BT, CT
      BC847AT, BT, CT
      NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
      Features
      Maximum Ratings
      @ T
      A
      = 25°C unless otherwise specified
      Characteristic
      Symbol
      Value
      Unit
      Collector-Base Voltage
      V
      CBO
      50
      V
      Collector-Emitter Voltage
      V
      CEO
      45
      V
      Emitter-Base Voltage
      V
      EBO
      6.0
      V
      Collector Current
      I
      C
      100
      mA
      Power Dissipation (Note 1)
      P
      d
      150
      mW
      Thermal Resistance, Junction to Ambient
      R
       JA
      833
      °C/W
      Operating and Storage Temperature Range
      T
      j
      , T
      STG
      -55 to +150
      °C
      Epitaxial Die Construction
      Complementary PNP Type Available
      (BC857AT,BT,CT)
      Ultra-Small Surface Mount Package
      Type
      Marking
      BC847A
      1E
      BC847B
      1F
      BC847C
      1M
      Case: SOT-523, Molded Plastic
      Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
      Method 208
      Terminal Connections: See Diagram
      Weight: 0.002 grams (approx.)
      Mechanical Data
      A
      B
      C
      C
      B
      TOP VIEW
      G
      M
      L
      J
      D
      H
      N
      K
      E
      Notes:
      1.  Device mounted on FR-4 PC board with recommended pad layout.
      N
      
    
      
    
    
      


      


      

      相關PDF資料
      		

      PDF描述
      		

      
      

      
BC847A.B.C
Transistors

      

      
BC847BT116
TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346

      

      
BC847BT-7
TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-523

      

      
BC847BTT1
TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416

      

      
BC847BV
BJT

      

      

      

      


      


      

      相關代理商/技術參數(shù)
      		

      參數(shù)描述
      		

      
      

      
BC847AT-7-F
功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2

      

      
BC847ATA
功能描述:兩極晶體管 - BJT -

 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2

      

      
BC847ATC
功能描述:兩極晶體管 - BJT -

 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2

      

      
BC847ATDG
 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors

      

      
BC847A-TP
功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2

      

      
    
    
    
	
      	
    
    
     
     
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