參數(shù)資料
型號： BC847CWT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： General Purpose Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 通用晶體管（NPN硅）
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： BC847CWT1
DS30274 Rev. A-2
2 of 3
BC847AT, BT, CT
Electrical Characteristics
@ T
A
= 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
DC Current Gain (Note 3)
Current Gain A
B
C
Current Gain A
B
C
h
FE
—
—
—
110
200
420
—
150
270
—
290
520
—
—
—
220
450
800
—
V
CE
= 5.0V, I
C
= 2.0mA
Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 3)
V
CE(SAT)
—
—
250
600
mV
I
C
= 10mA, I
B
= 0.5mA
I
C
= 100mA, I
B
= 5.0mA
Base-Emitter Saturation Voltage (Note 3)
V
BE(SAT)
—
700
900
—
mV
I
C
= 10mA, I
B
= 0.5mA
I
C
= 100mA, I
B
= 5.0mA
Base-Emitter Voltage (Note 3)
V
BE
580
—
660
—
700
770
mV
V
CE
= 5.0V, I
C
= 2.0mA
V
CE
=5.0V, I
C
= 10mA
Collector-Emitter Cutoff Current (Note 3)
I
CBO
I
CBO
—
—
15
5.0
nA
μA
V
CB
= 30V
V
CB
= 30V, T
A
= 150°C
Gain Bandwidth Product
f
T
100
—
—
MHz
V
CE
= 5.0V, I
C
= 10mA,
f = 100MHz
Output Capacitance
C
OBO
—
—
4.5
pF
V
CB
= 10V, f = 1.0MHz
BC847BT
Noise Figure BC847CT
NF
—
—
10
4.0
dB
V
CE
= 5V, R
S
= 2.0k
f = 1.0kHz, BW= 200Hz
N
Notes:
3. Short duration test pulse used to minimize self-heating effect.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC848A.B.C Transistors
BC848BT116 TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346
BC848BWT106 TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-70
BC848T NPN general purpose transistors
BC848C-MR TRANSISTOR BC848C MINIREEL 500PCS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC847CWT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC847CWT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT GENRL TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC847CW-TP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC847DG 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
BC847DS 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT457 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 45V, 100MA, SOT457 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 45V, 100MA, SOT457; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Min:-55C; Operating ;RoHS Compliant: Yes
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