參數資料
型號： BC847W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
中文描述： 45伏, 100毫安 NPN型通用晶體管
封裝： BC847<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BC847<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BC
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代理商： BC847W
BC847_BC547_SER_7
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 07 — 10 December 2008
9 of 15
NXP Semiconductors
BC847/BC547 series
45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
= 150
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
55
°
C
Fig 9.
Selection C: DC current gain as a function of
collector current; typical values
V
CE
= 5 V
(1) T
amb
=
55
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 150
°
C
Fig 10. Selection C: Base-emitter voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 150
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
55
°
C
Fig 11. Selection C: Collector-emitter saturation
voltage as a function of collector current;
typical values
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
=
55
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 150
°
C
Fig 12. Selection C: Base-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
mgt731
10
1
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
0
1200
h
FE
1000
800
600
400
200
(1)
(2)
(3)
0
10
2
1200
1000
800
600
400
200
mgt732
10
1
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
(1)
(2)
(3)
10
4
10
3
10
2
10
10
1
mgt733
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
mgt734
10
1
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
0
1200
1000
800
600
400
200
V
BEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
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