參數(shù)資料
型號： BC848C-MR
英文描述： TRANSISTOR BC848C MINIREEL 500PCS
中文描述： 晶體管BC848C MINIREEL 500件
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 89K
代理商： BC848C-MR
BC848BW / BC848B / BC848C
Transistors
3/5
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
f
=
1kHz
0.01
1
0.1
10
100
100
1000
10
h
F
-
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.5 AC current gain vs. collector current
Ta
=
25
°
C
I
C
/I
B
=
10
0.1
1.0
10
100
0.08
0.18
0.16
0.12
0.04
0
V
C
C
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.6 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
Ta
=
25
°
C
I
C
/I
B
=
10
0.1
1.0
10
100
0.8
1.2
1.8
1.6
0.4
0
V
B
B
(
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.7 Base-emitter saturation
voltage vs. collector current
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
0.1
1.0
10
100
0.8
1.2
1.8
1.6
0.4
0
V
B
B
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.8 Grounded emitter propagation
characteristics
Ta
=
25
°
C
I
C
/
I
B
=
10
1.0
10
100
100
1000
10
t
o
-
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.9 Turn-on time vs. collector
current
Ta
=
25
°
C
I
C
/I
B
=
10
1.0
10
100
100
1000
10
t
r
-
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.10 Rise time vs. collector
current
V
CC
=
40V
Ta
=
25
°
C
I
C
=
101
B1
=
101
B2
1.0
10
100
100
1000
10
t
S
-
I
C
-COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig.11 Storage time vs. collector
current
V
CE
=
15V
40V
3V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC848CT116 TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-346
BC848 SOT23 NPN SILICON PLANAR
BC848A-1JZ SOT23 NPN SILICON PLANAR
BC848B-1K SOT23 NPN SILICON PLANAR
BC848C-Z1L SOT23 NPN SILICON PLANAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC848CMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC848CMTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC848CPDW1T1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC848CPDW1T1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V Dual Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC848CRTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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