參數(shù)資料
型號： BC848CF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN general purpose transistors
中文描述： 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 51K
代理商： BC848CF
1999 May 18
2
Philips Semiconductors
Preliminary specification
NPN general purpose transistors
BC846F; BC847F; BC848F series
FEATURES
Power dissipation comparable to SOT23
Low current (max. 100 mA)
Low voltage (max. 65 V).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification, especially
in portable equipment.
DESCRIPTION
NPN transistor encapsulated in an ultra small SC-89
(SOT490) plastic SMD package.
PNP complements: BC856F, BC857F and BC858F series.
MARKING
TYPE
NUMBER
MARKING
CODE
TYPE
NUMBER
MARKING
CODE
BC846AF
BC846BF
BC847AF
BC847BF
1A
1B
1E
1F
BC847CF
BC848AF
BC848BF
BC848CF
1G
1J
1K
1L
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
Fig.1
Simplified outline (SC-89; SOT490) and
symbol.
handbook, halfpage
MAM410
1
2
3
1
Top view
2
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC848F High Speed CMOS Logic Dual 4-Input AND Gate 14-SOIC -55 to 125
BC846F NPN Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
BC847F High Speed CMOS Logic 8-Bit Parallel-In/Serial-Out Shift Register 16-PDIP -55 to 125
BC848F High Speed CMOS Logic Dual 4-Input AND Gate 14-SOIC -55 to 125
BC846AW-7 TRANSISTOR | BJT | NPN | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-323
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC848C-G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SM SIGNAL TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC848CLT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC848CLT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC848CLT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
BC848CMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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