參數(shù)資料
型號(hào)： BCP69
廠商： ZETEX PLC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述： 1 A, 20 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 43K
代理商： BCP69
SOT223 PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 3 FEBRUARY 1996
%
FEATURES
*
For AF drivers and output stages
*
High collector current and Low V
CE(sat)
COMPLEMENTARY TYPE
BCP68
PARTMARKING DETAIL
BCP69
BCP69 25
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
-25
V
Collector-Emitter Voltage
-20
V
Emitter-Base Voltage
-5
V
Peak Pulse Current
-2
A
Continuous Collector Current
-1
A
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature
Range
2
W
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)CBO
-25
V
I
C
=-10
μ
A
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V
(BR)CEO
-20
V
I
C
=- 30mA
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
-5
V
I
E
=-10
μ
A
Collector Cut-Off
Current
I
CBO
-100
-10
nA
μ
A
V
CB
=-25V
V
CB
=-25V, T
amb
=150°C
Emitter Cut-Off Current I
EBO
-10
μ
A
V
EB
=-5V
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
-0.5
V
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
Base-Emitter Turn-On
Voltage
V
BE(on)
- 0.6
-1.0
V
V
I
C
=-5A, V
CE
=-10V*
I
C
=-1A, V
CE
=-1V*
Static Forward Current
Transfer Ratio
h
BCP69
BCP69-25
50
63
160
250
400
400
I
C
=-5mA, V
=-10V*
I
C
=-500mA, V
CE
=-1V*
I
C
=-500mA, V
CE
=-1V*
Transition Frequency
f
T
100
MHz
I
=-100mA, V
CE
=-5V,
f=100MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
μ
s. Duty cycle
≤
2%
For typical characteristics graphs see FMMT549 datasheet.
BCP69
C
C
E
B
3 - 20
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCP69-25 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
BCR116Q62702C2337 TRANSISTOR DIGITAL SOT323
BCR148WQ62702C2291 TRANSISTOR DIGITAL SOT323
BCR198WQ62702C2283 TRANSISTOR DIGITAL SOT323
BCR1AM8 TRIAC|400V V(DRM)|1A I(T)RMS|TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCP69 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP69 T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT PNP 20V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BCP69,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP69,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP69 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-223
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