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參數(shù)資料
| 型號： | BCW60DL99Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商： | BCW60DL99Z |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2001
BCW
6
0
A
/B
/C/
D
Electrical Characteristics T
a=25°C unless otherwise noted
Marking Code
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Max.
Units
BVCEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC=2mA, IB=0
32
V
BVEBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE=1A, IC=0
5
V
ICES
Collector Cut-off Current
VCE=32V, VBE=0
20
nA
IEBO
Emitter Cut-off Current
VEB=4V, IC=0
20
nA
hFE
DC Current Gain
: BCW60B
: BCW60C
: BCW60D
: BCW60A
: BCW60B
: BCW60C
: BCW60D
: BCW60A
: BCW60B
: BCW60C
: BCW60D
VCE=5V, IC=10A
VCE=5V, IC=2mA
VCE=1V, IC=50mA
20
40
100
120
180
250
380
60
70
90
100
220
310
460
630
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC=50mA, IB=1.25mA
IC=10mA, IB=0.25mA
0.55
0.35
V
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC=50mA, IB=1.25mA
IC=10mA, IB=0.25mA
0.7
0.6
1.05
0.85
V
VBE(on)
Base-Emitter On Voltage
VCE=5V, IC=2mA
0.55
0.75
V
Cob
Output Capacitance
VCB=10V, IE=0, f=1MHz
4.5
pF
fT
Current Gain Bandwidth Product
IC=10mA, VCE=5V, f=100MHz
125
MHz
NF
Noise Figure
IC=0.2mA, VCE=5V
RG=2K, f=1KHz
6dB
tON
Turn On Time
IC=10mA, IB1=1mA
150
ns
tOFF
Turn Off Time
VBB=3.6V, IB2=1mA
R1=R2=5K
,R
L=990
800
ns
Type
BCW60A
BCW60B
BCW60C
BCW60D
Mark.
AA
AB
AC
AD
AA
Marking
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW61C-T | 200 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCW61CTRL13 | 200 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCW61DS62Z | 100 mA, 32 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCW70/T4 | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| BCW70-T | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCW60DLR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BJT |
| BCW60DLT1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:General Purpose Transistors |
| BCW60DMTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW60DR | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
| BCW60DR-BR | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT23 NPN SILICON PLANAR SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
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