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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BCX53 |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 1 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 42K |
| 代理商： | BCX53 |
1999 Apr 19
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP medium power transistors
BCX51; BCX52; BCX53
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board, single-sided copper, tinplated, mounting pad for collector 6 cm
2
.
For other mounting conditions, see “Thermal considerations for SOT89 in the General Part of associated Handbook”.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board, single-sided copper, tinplated, mounting pad for collector 6 cm
2
.
For other mounting conditions, see “Thermal considerations for SOT89 in the General Part of associated Handbook”.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BCX51
BCX52
BCX53
collector-emitter voltage
BCX51
BCX52
BCX53
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
45
60
100
V
V
V
V
CEO
open base
65
65
45
60
80
5
1
1.5
200
1.3
+150
150
+150
V
V
V
V
A
A
mA
W
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
open collector
T
amb
≤
25
°
C; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
R
th j-s
thermal resistance from junction to ambient
thermal resistance from junction to soldering point note 1
note 1
94
14
K/W
K/W
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PDF描述 |
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