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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BCY79-9 |
| 英文描述： | SCR Thyristor; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:600V; On-State RMS Current, IT(rms):800mA; Gate Trigger Current Max, Igt:12uA; Current, It av:0.8A; Holding Current:5mA; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 45V的五（巴西）總裁|到18 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/36頁(yè) |
| 文件大小： | 1453K |
| 代理商： | BCY79-9 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| BCY79-10 | SCR Thyristor; Thyristor Type:Sensitive Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:200V; On-State RMS Current, IT(rms):800mA; Peak Non Repetitive Surge Current, Itsm:20A; Gate Trigger Current Max, Igt:200uA RoHS Compliant: Yes |
| BCX76-40 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92 |
| BCX76-16 | TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-92 |
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| BCX75-16 | Leaded Cartridge Fuse; Current Rating:12A; Voltage Rating:32V; Fuse Terminals:Axial Lead; Fuse Type:Time Delay; Voltage Rating:32V; Body Material:Glass; Diameter:6.985mm; Leaded Process Compatible:Yes; Length:32.385mm; Series:315P RoHS Compliant: Yes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| BCY79A | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO18 |
| BCY79B | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO18 |
| BCY79C | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO18 |
| BCY79IX | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RO 511-2N4033 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCY79-IX | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 45V 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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