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參數(shù)資料
| 型號： | BD6021KV |
| 英文描述： | コミュニケーションLSI |
| 中文描述： | コミュニケーション大規(guī)模集成電路 |
| 文件頁數(shù)： | 14/16頁 |
| 文件大小： | 236K |
| 代理商： | BD6021KV |
BD6021KV
IC
z
使用上の注意
応用例は推奨すべきものと確信しておりますが、ご使用にあたっては十分な特性の確認(rèn)をお願いします。
その他外付け回路定數(shù)を変更してご使用になる時は、靜特性のみならず、過渡特性も含め外付け部品及び當(dāng)社
IC
のバ
ラツキ等を考慮して十分なマージンを見て決定してください。
本
IC
はモノリシック
IC
であり、各素子間に素子分離のための
P
+
アイソレーションと、
P
基板を有しています。この
P
層と各素子の
N
層とで
P-N
接合が形成され、各種の寄生素子が構(gòu)成されます。
例えば、抵抗とトランジスタが端子と接続されている場合、
抵抗では、
GND>(
端子
A)
の時、トランジスタ
(NPN)
では
GND>(
端子
B)
の時、
P-N
接合が寄生ダイオードとして動作
します。
また、トランジスタ
(NPN)
では、
GND>(
端子
B)
の時、前述の寄生ダイオードと近接する他の素子のＮ層によって寄
生の
NPN
トランジスタが動作します。
IC
の構(gòu)造上、寄生素子は電位関係によって必然的にできます。寄生素子が動作することにより回路動作の干渉を引き
起こし、誤動作、ひいては破壊の原因ともなり得ます。したがって入出力端子に
GND(P
基板
)
より低い電圧を印加す
るなど、寄生素子が動作するような使い方をしないよう十分に注意してください。
A
A
P
N
GND
GND
N
P
N
P+
P+
B
(NPN)
P
N
C
B
E
GND
N
N
P
N
P+
P+
GND
B
GND
C
E
B
IC
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PDF描述 |
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