參數(shù)資料
型號(hào)： BD677A
廠(chǎng)商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
中文描述： 互補(bǔ)性的芯片功率達(dá)林頓晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大小： 87K
代理商： BD677A
BD677/A/679/A/681
BD678/A/680/A/682
COMPLEMENTARY SILICON
POWER DARLINGTON TRANSISTORS
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
I
COMPLEMENTARYPNP - NPN DEVICES
I
MONOLITHIC DARLINGTON
CONFIGURATION
I
INTEGRATED ANTIPARALLEL
COLLECTOR-EMITTER DIODE
APPLICATION
I
LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL
EQUIPMENT
DESCRIPTION
The BD677, BD677A, BD679, BD679A and
BD681 are silicon epitaxial-base NPN power
transistors in monolithic Darlington configuration
mounted in Jedec SOT-32 plasticpackage.
They are intended for use in medium power linar
and switching applications
The complementary PNP types are BD678,
BD678A,
BD680,
BD680A
respectively.
and
BD682
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
R
1
Typ.= 7K
R
2
Typ.= 230
September 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
BD679/A
BD680/A
80
80
5
4
6
0.1
40
-65 to 150
150
Unit
NPN
PNP
BD677/A
BD678/A
60
60
BD681
BD682
100
100
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤
25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
For PNP types voltage and current values are negative.
V
V
V
A
A
A
W
o
C
o
C
3
21
SOT-32
1/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BD678 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
BD681 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
BD680 Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管)
BD680A Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管)
BD682 Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BD677AG 功能描述:達(dá)林頓晶體管 4A 60V 40W NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BD677AS 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BD677ASTU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BD677G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 4A 60V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BD678 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARLINGTON TRAN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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