參數(shù)資料
型號： BD681
廠商： 意法半導體
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
中文描述： 互補性的芯片功率達林頓晶體管
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： BD681
Base-EmitterOn Voltage(NPN type)
Base-EmitterOn Voltage (PNPtype)
Freewheel Diode Forward Voltage (NPN types)
FreewheelDiode Forward Voltage (PNP types)
BD677/677A/678/678A/679/679A/680/680A/681/682
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相關PDF資料
PDF描述
BD680 Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補硅功率達林頓晶體管)
BD680A Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補硅功率達林頓晶體管)
BD682 Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補硅功率達林頓晶體管)
BD707 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD708 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BD681A 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
BD681G 功能描述:達林頓晶體管 4A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BD681G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR, TO-225AA 制造商:ON Semiconductor 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR, TO-225AA; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:750; Operating Temperature Min:-55C; Operating Temperature ;RoHS Compliant: Yes
BD681S 功能描述:達林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BD681STU 功能描述:達林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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