參數(shù)資料
型號(hào)： BD807
英文描述： SCR Thyristor; SCR Type:Standard Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:200V; On-State RMS Current, IT(rms):25A; Peak Non Repetitive Surge Current, Itsm:350A; Gate Trigger Current Max, Igt:35uA
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 60V的五（巴西）總裁| 10A條一（c）| TO - 220AB現(xiàn)有
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代理商： BD807
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PDF描述
BD806 SCR Thyristor; Thyristor Type:Standard Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:200V; On-State RMS Current, IT(rms):16A; Peak Non Repetitive Surge Current, Itsm:225A; Gate Trigger Current Max, Igt:30uA RoHS Compliant: Yes
BD825 NPN power transistor(NPN功率晶體管)
BD827-10 TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-202
BD825-10 SCR Thyristor; SCR Type:Standard Gate; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:400V; On-State RMS Current, IT(rms):6A; Peak Non Repetitive Surge Current, Itsm:100A; Gate Trigger Current Max, Igt:15mA
BD825-16 TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-202
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參數(shù)描述
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BD808/D 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:Plastic High Power Silicon PNP Transistor
BD809 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 80V 90W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD809/D 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:Plastic High Power Silicon Transistor
BD809_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:Plastic High Power Silicon Transistor
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