參數(shù)資料
型號(hào)： BDW93B
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管)
中文描述： Complemetary硅功率達(dá)林頓晶體管（互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管）
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： BDW93B
THERMAL DATA
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case
1.56
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
μ
A
μ
A
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
for
BDW93B/94B
for
BDW93C/94C
T
case
= 150
C
for
BDW93B/94B
for
BDW93C/94C
V
CB
= 80 V
V
CB
= 100 V
V
CB
= 80 V
V
CB
= 100 V
100
100
5
5
mA
mA
I
CEO
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
for
BDW93B/94B
for
BDW93C/94C
V
CB
= 80 V
V
CB
= 100 V
1
1
mA
mA
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
EB
= 5 V
2
mA
I
C
= 100 mA
for
BDW93B/94B
for
BDW93C/94C
80
100
V
V
I
C
= 5 A
I
C
= 10 A
I
B
= 20 mA
I
B
= 100 mA
2
3
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 5 A
I
C
= 10 A
I
B
= 20 mA
I
B
= 100 mA
2.5
4
V
V
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 3 A
I
C
= 5 A
I
C
= 10 A
V
CE
= 3 V
V
CE
= 3 V
V
CE
= 3 V
1000
750
100
20K
V
F
*
Parallel-diode Forward
Voltage
I
F
= 5 A
I
F
= 10 A
1.3
1.8
2
4
V
V
h
fe
:
Small Signal Current
Gain
I
C
= 1 A
f = 1 MHz
V
CE
= 10 V
20
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
For PNP types voltage and current values are negative.
BDW93B/BDW93C/BDW94B/BDW94C
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
BDW94B COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
BDW94C COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
BDX53BFP Silicon Power Darlington Transistor(硅功率達(dá)林頓晶體管)
BDX53B COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
BDX53C COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BDW93B-S 功能描述:達(dá)林頓晶體管 80V 12A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDW93C 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDW93C 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V
BDW93C 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220
BDW93CF 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications
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