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參數(shù)資料
| 型號： | BDX53BFP |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | Silicon Power Darlington Transistor(硅功率達林頓晶體管) |
| 中文描述： | 硅功率達林頓晶體管（硅功率達林頓晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 34K |
| 代理商： | BDX53BFP |
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BDX53BFP
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BDX53B | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| BDX53C | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| BDX53C | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| BDX53B | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| BDX53F | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BDX53BG | 功能描述:達林頓晶體管 8A 80V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDX53B-S | 功能描述:達林頓晶體管 80V 8A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDX53BTU | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDX53C | 功能描述:達林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| BDX53C | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220 |
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