參數資料
型號： BDX53C
廠商： 永盛國際集團
英文描述： NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
中文描述： npn型外延硅晶體管
文件頁數： 3/6頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： BDX53C
DC CurrentGain (NPN type)
Collector Emitter Saturation Voltage(NPN type)
BaseEmitter SaturationVoltage(NPN type)
DC CurrentGain (PNP type)
Collector Emitter Saturation Voltage(PNP type)
BaseEmitter SaturationVoltage(PNP type)
BDX53B - BDX53C - BDX54B - BDX54C
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相關PDF資料
PDF描述
BDX53B NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
BDX53F COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
BDX54BFI Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補硅功率達林頓晶體管)
BDX53BFI Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補硅功率達林頓晶體管)
BDX88C Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(功率達林頓晶體管)
相關代理商/技術參數
參數描述
BDX53C 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220
BDX53CG 功能描述:達林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDX53C-S 功能描述:達林頓晶體管 100V 8A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDX53CTU 功能描述:達林頓晶體管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
BDX53E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 140V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB
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