參數(shù)資料
型號(hào)： BDX54F
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管)
中文描述： 互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管（互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 69K
代理商： BDX54F
BDX53F
BDX54F
COMPLEMENTARY SILICON POWER
DARLINGTON TRANSISTORS
s
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
s
COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES
s
MONOLITHIC DARLINGTON
CONFIGURATION
s
INTEGRATED ANTIPARALLEL
COLLECTOR-EMITTER DIODE
APPLICATIONS
s
LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL
EQUIPMENT
DESCRIPTION
The BDX53F
is a silicon epitaxial-base NPN
power
transistors
in
monolithic
Darlington
configuration and are mounted in Jedec TO-220
plastic package. It is intented for use in power
linear and switching applications.
The complementary PNP types is BDX54F.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
July 1997
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
NPN
BDX53F
PNP
BDX54F
VCBO
Collector-Base Voltage (IE = 0)
160
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)
160
V
VEBO
Emitter-base Voltage (IC = 0)
5
V
IC
Collector Current
8
A
ICM
Collector Peak Current
12
A
IB
Base Current
0.2
A
Ptot
Total Dissipation at Tc
≤ 25 oC60
W
Tstg
Storage Temperature
-65 to 150
oC
Tj
Max. Operating Junction Temperature
150
oC
1
2
3
TO-220
R1 Typ. = 10 K
R2 Typ. = 150
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PDF描述
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