參數(shù)資料
型號： BF1105
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1105<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;
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代理商： BF1105
1997 Dec 02
6
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FETs
BF1105; BF1105R; BF1105WR
Fig.9
Drain current as a function of drain-source
voltage; typical values.
V
G2-S
= 4 V.
T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
2
4
8
fMGM248
6
8
12
4
0
VDS (V)
Fig.10 Drain current as a function of gate 1 current;
typical values.
V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
ID
(mA)
8
6
4
0
MGM249
2
8
12
4
0
IG1 (
μ
A)
V
DS
= 5 V; V
= 4 V; I
Dnom
= I
self bias
; f
w
= 50 MHz;
f
unw
= 60 MHz; T
amb
= 25
Fig.11 Unwanted voltage for 1% cross-modulation
as a function of gain reduction;
typical values (see Fig.18).
handbook, halfpage
0
20
40
gain reduction (dB)
60
100
80
90
MGM250
Vunw
(dB
μ
V)
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PDF描述
BF1105R N-channel dual-gate MOSFET
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