參數(shù)資料
型號(hào)： BF1107
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： MOSFET N-channel switching transistor
封裝： BF1107<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BF1107<SOT23 (SOT23)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BF1107
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
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代理商： BF1107
BF1107_4
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 9 January 2007
5 of 8
NXP Semiconductors
BF1107
N-channel single gate MOSFET
9.
Package outline
Fig 4.
Package outline SOT23
UNIT
A
1
max.
b
p
c
D
E
e
1
H
E
L
p
Q
w
v
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
04-11-04
06-03-16
IEC
JEDEC
JEITA
mm
0.1
0.48
0.38
0.15
0.09
3.0
2.8
1.4
1.2
0.95
e
1.9
2.5
2.1
0.55
0.45
0.1
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
SOT23
TO-236AB
bp
D
e1
e
A
A1
Lp
Q
detail X
HE
E
w
M
v
M
A
B
A
B
0
1
2 mm
scale
A
1.1
0.9
c
X
1
2
3
Plastic surface-mounted package; 3 leads
SOT23
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1107 MOSFET N-channel switching transistor
BF1108 Silicon RF switches
BF1108 Silicon RF switches
BF1108R Silicon RF switches
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF1107,215 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 N-Channel 3V 10mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1107,235 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 N-Channel 3V 10mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1107W 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel single gate MOS-FETs
BF1108 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Silicon RF switches
BF1108,215 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Single N-CH 7V 10mA 4 LEADS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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