參數(shù)資料
型號： BF1108R
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Silicon RF switches
封裝： BF1108R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;BF1108R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47
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代理商： BF1108R
BF1108_BF1108R_4
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 29 May 2008
3 of 10
NXP Semiconductors
BF1108; BF1108R
Silicon RF switches
5.
Limiting values
6.
Thermal characteristics
[1]
Soldering point of FET gate and diode anode lead.
7.
Static characteristics
Table 5.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
FET
V
DS
drain-source voltage
V
SD
source-drain voltage
V
DG
drain-gate voltage
V
SG
source-gate voltage
I
D
drain current
Diode
V
R
reverse voltage
I
F
forward current
FET and diode
T
stg
storage temperature
T
j
junction temperature
Limiting values
Conditions
Min
Max
Unit
-
-
-
-
-
3
3
7
7
10
V
V
V
V
mA
-
-
35
100
V
mA
65
-
+150
150
°
C
°
C
Table 6.
Symbol
R
th(j-sp)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction
to solder point
Conditions
Typ
Unit
K/W
[1]
250
Table 7.
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Symbol Parameter
FET
V
(BR)GSS
gate-source breakdown
voltage
V
GS(p)
gate-source pinch-off voltage
I
DSX
drain cut-off current
I
GSS
gate leakage current
R
DSon
drain-source on-state
resistance
Diode
V
F
forward voltage
I
R
reverse current
Static characteristics
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
V
DS
= 0 V; I
GS
= 0.1 mA
7
-
-
V
V
DS
= 1 V; I
D
= 20
μ
A
V
GS
=
5 V; V
DS
= 2 V
V
GS
=
5 V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V; I
D
= 1 mA
-
-
-
-
3
-
-
12
4
10
100
20
V
μ
A
nA
I
F
= 10 mA
V
R
= 25 V
V
R
= 20 V; T
amb
= 75
°
C
-
-
-
-
-
-
1
50
1
V
nA
μ
A
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PDF描述
BF1109 N-channel dual-gate MOSFET
BF1109 N-channel dual-gate MOSFET
BF1109R N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
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BF1108R,215 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1108R,235 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 Single N-CH 7V 10mA 4 LEADS, REVERSE PIN RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1108R215 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BF1109 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate MOS-FETs
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