參數(shù)資料
型號： BF1201
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1201<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;
文件頁數(shù)： 9/15頁
文件大?。?/td> 405K
代理商： BF1201
2000 Mar 29
9
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs
BF1201; BF1201R; BF1201WR
handbook, full pagewidth
DUT
C1
4.7 nF
R1
10 k
Ω
MGS315
C4
4.7 nF
L1
≈
2.2
μ
H
C3
4.7 nF
RL
50
Ω
VGG
VAGC
VDS
RGEN
50
Ω
VI
R2
50
Ω
4.7 nF
C2
RG1
Fig.21 Cross-modulation test set-up.
Table 1
Scattering parameters: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
C
Table 2
Noise data: V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 15 mA; T
amb
= 25
C
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
4.72
9.39
18.59
27.74
36.59
45.08
53.26
61.07
68.48
75.55
82.23
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
1.84
3.37
6.72
10.02
13.33
16.55
19.64
22.63
25.54
28.44
31.42
50
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.987
0.985
0.978
0.976
0.949
0.928
0.905
0.882
0.860
0.838
0.818
2.775
2.774
2.731
2.671
2.599
2.501
2.400
2.297
2.199
2.096
1.997
174.6
169.5
159.1
148.8
138.8
129.1
119.8
110.9
102.4
94.2
86.3
0.0006
0.0010
0.0019
0.0026
0.0032
0.0035
0.0035
0.0033
0.0029
0.0024
0.0021
88.8
86.7
79.7
74.2
69.9
65.9
64.6
65.7
69.1
83.3
103.8
0.997
0.997
0.996
0.994
0.992
0.989
0.986
0.982
0.979
0.975
0.971
f
(MHz)
F
min
(dB)
opt
R
n
(
)
(ratio)
(deg)
400
800
1
0.825
0.753
38.93
70.65
50
1.9
38.75
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