參數(shù)資料
型號(hào)： BF1201R
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF1201R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;
文件頁(yè)數(shù)： 5/15頁(yè)
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代理商： BF1201R
2000 Mar 29
5
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs
BF1201; BF1201R; BF1201WR
handbook, halfpage
(mA)
0
2.5
0
5
10
15
20
0.5
1
1.5
2
VG1-S (V)
MCD935
3.5 V
3 V
VG2-S
=
4 V
2.5 V
2 V
1.5 V
1 V
Fig.5 Transfer characteristics; typical values.
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
0
10
0
8
16
2
VDS (V)
ID
(mA)
6
4
8
MCD936
VG1-S
=
1.8 V
1.7 V
1.5 V
1.6 V
1.4 V
1.3 V
1.2 V
Fig.6 Output characteristics; typical values.
V
G2-S
= 4 V.
T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
(
μ
A)
0
2.5
0
20
40
60
80
0.5
1
1.5
2
VG1-S (V)
MCD937
VG2-S
=
4 V
3.5 V
3 V
2.5 V
2 V
1.5 V
Fig.7
Gate 1 current as a function of gate 1
voltage; typical values.
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
C.
handbook, halfpage
yfs
(mS)
0
ID (mA)
5
25
30
10
0
20
10
15
20
MCD938
3.5 V
2.5 V
3 V
2 V
VG2-S
=
4 V
Fig.8
Forward transfer admittance as a function
of drain current; typical values.
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
C.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF1201WR N-channel dual-gate MOSFET
BF1202 N-channel dual-gate MOSFET
BF1202 N-channel dual-gate MOSFET
BF1202R N-channel dual-gate MOSFET
BF1202WR N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
BF1201R,215 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1201R215 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BF1201WR 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs
BF1201WR,115 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF1201WR,135 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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