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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BF1205 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| 封裝： | BF1205<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free,;BF1205<SOT363 (SOT363)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT363.html<1<Always Pb-free |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/25頁(yè) |
| 文件大小： | 626K |
| 代理商： | BF1205 |
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2003 Sep 30
8
NXP Semiconductors
Product specification
Dual N-channel dual gate MOS-FET
BF1205
handbook, halfpage
yfs
(mS)
0
ID (mA)
4
20
30
10
0
20
8
12
16
MGX434
(5)
(4)
(3)
(2)
(1)
Fig.7
Forward transfer admittance as a function
of drain current; typical values; amplifier a.
V
DS
(a) = 5 V; V
G1-S
(b) = V
DS
(b) = 0 V; T
j
= 25
C.
(1) V
G2-S
= 4 V.
(2) V
G2-S
= 3.5 V.
(3) V
G2-S
= 3 V.
(4) V
G2-S
= 2.5 V.
(5) V
G2-S
= 2 V.
handbook, halfpage
0
10
20
40
0
30
ID (b) (
μ
A)
ID (a)
(mA)
8
4
MGX435
Fig.8
Drain current as a function of internal G1
current (current in pin drain (b) if MOS-FET
(b) is switched off); typical values; amplifier a.
V
DS
(a) = 5 V; V
G2-S
= 4 V; V
DS
(b) = 5 V; V
G1-S
(b) = 0 V; T
j
= 25
C.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF1205 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1206F | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1206F | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
| BF1206 | Dual N-channel dual-gate MOSFET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BF1205,115 | 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
| BF1205,135 | 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel |
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