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參數(shù)資料
| 型號： | BF872 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP high-voltage transistor |
| 中文描述： | 0.05 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-202 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-202, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 43K |
| 代理商： | BF872 |
1999 Apr 21
3
Philips Semiconductors
Product specification
PNP high-voltage transistor
BF872
THERMAL CHARACTERISTICS
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-a
R
th j-mb
thermal resistance from junction to ambient
thermal resistance from junction to mounting base
78
25
K/W
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
10
10
50
600
2.2
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
200 V
I
E
= 0; V
CB
=
200 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
5 V
I
C
=
25 mA; V
CE
=
20 V
50
60
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
V
CEsat
C
re
f
T
emitter cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation voltage I
C
=
30 mA; I
B
=
5 mA
feedback capacitance
transition frequency
mV
pF
MHz
I
C
= i
c
= 0; V
CE
=
30 V; f = 1MHz
I
C
=
10 mA; V
CE
=
10 V;
f = 100 MHz
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