參數(shù)資料
型號： BF904
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF904<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;BF904<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 20
文件頁數(shù)： 9/14頁
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代理商： BF904
NXP
Semiconduct
ors
Product specification
N-channel dual gate MOS-FETs
BF904; BF904R
Fig.20 Cross-modulation test set-up.
DUT
VAGC
C1
4.7 nF
R1
10 k
MLD171
C4
4.7 nF
L1
450 nH
≈
C3
12 pF
RL
50
VGG
VDS
RGEN
50
VI
R2
50
4.7 nF
C2
RG1
Rev. 06 - 13 November 2007
9 of 14
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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BF904,215 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF904,235 功能描述:射頻MOSFET小信號晶體管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF904/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Dual Gate MOS-FETs
BF904_07 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel dual gate MOS-FETs
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