參數(shù)資料
型號(hào)： BF904AWR
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF904AWR<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2003,;
文件頁數(shù)： 5/15頁
文件大?。?/td> 302K
代理商： BF904AWR
NXP
Semiconductors
Product specification
N-channel dual gate MOS-FETs
BF904A; BF904AR; BF904AWR
Fig.5
Transfer admittance as a function of the
junction temperature; typical values.
50
0
50
150
30
0
MLD268
100
Tj
o
Yfs
(mS)
40
20
10
Fig.6
Typical gain reduction as a function of
the AGC voltage; see Fig.21.
f = 50 MHz.
handbook, halfpage
reduction
(dB)
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
AGC
MRA769
Fig.7
Unwanted voltage for 1% cross-modulation
as a function of gain reduction; typical
values; see Fig.21.
V
DS
= 5 V; V
GG
= 5 V; f
w
= 50 MHz.
f
unw
= 60 MHz; T
amb
= 25
°
C; R
G1
= 120 k
.
handbook, halfpage
80
90
100
110
0
10
20
30
40
50
(dB V)
gain reduction (dB)
MRA771
Fig.8 Transfer characteristics; typical values.
V
DS
= 5 V.
T
j
= 25
°
C.
0
20
10
15
5
0
0.4
2.0
MLD270
0.8
1.2
1.6
VG1 S
ID
(mA)
2 V
1.5 V
1 V
VG2 S
3 V
2.5 V
Rev. 04 - 13 November 2007
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PDF描述
BF904WR N-channel dual-gate MOSFET
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參數(shù)描述
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BF904R,215 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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