參數(shù)資料
型號(hào)： BF909R
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： MOSFETs
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF909R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47, 2002,;BF909R<SOT143R (SOT143R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143R.html<1<week 47,
文件頁(yè)數(shù)： 9/12頁(yè)
文件大?。?/td> 320K
代理商： BF909R
NXP
Semiconductors
Product specification
N-channel dual gate MOS-FETs
BF909; BF909R
Table 1
Scattering parameters: T
amb
= 25
°
C; V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 15 mA
Table 2
Noise data: T
amb
= 25
°
C; V
DS
= 5 V; V
G2-S
= 4 V; I
D
= 15 mA
f
(MHz)
s
11
s
21
s
12
s
22
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
6.4
12.6
25.0
36.5
47.6
57.4
66.6
74.6
82.2
89.3
95.6
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
MAGNITUDE
(ratio)
ANGLE
(deg)
3.2
6.4
12.6
18.6
24.2
29.6
34.8
39.8
44.6
49.5
54.6
50
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0.985
0.978
0.957
0.931
0.899
0.868
0.848
0.816
0.792
0.772
0.754
4.064
3.997
3.886
3.682
3.484
3.260
3.053
2.829
2.652
2.470
2.328
172.3
164.9
150.8
137.3
123.8
111.7
101.0
90.3
79.9
69.5
59.5
0.001
0.002
0.005
0.006
0.007
0.007
0.006
0.005
0.005
0.005
0.006
86.9
82.7
74.3
68.9
59.6
57.9
58.5
65.5
83.3
114.9
138.7
0.985
0.982
0.973
0.960
0.947
0.936
0.927
0.919
0.913
0.910
0.909
f
(MHz)
F
min
(dB)
Γ
opt
r
n
(ratio)
(deg)
800
2.00
0.603
67.71
0.581
Rev. 02 - 19 November 2007
9 of 12
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BF909R,235 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
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