參數(shù)資料
型號(hào)： BF996S
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel dual-gate MOSFET
封裝： BF996S<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 47, 2002,;
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 187K
代理商： BF996S
April 1991
3
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FET
BF996S
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
DS
I
D
I
D(AV)
I
G1-S
I
G1-S
P
tot
T
stg
T
j
drain-source voltage
drain current (DC)
average drain current
gate 1 source
gate 2 source
total power dissipation
storage temperature range
junction temperature
65
20
30
30
10
10
200
+150
150
V
mA
mA
mA
mA
mW
C
C
up to T
amb
= 60
C; note 1
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
200
0
100
MGE792
100
Tamb (
°
C)
Ptot
(mW)
THERMAL CHARACTERISTICS
Note to the Limiting values and the Thermal characteristics
1.
Device mounted on a ceramic substrate of 8
10
0.7 mm.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
in free air; note 1
460
K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
BF996S T/R 功能描述:MOSFET TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BF996S,215 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 TAPE7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF996S,215-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BF996S Series 20 V 30 mA N-channel Dual-gate MOS-FET - SOT143B
BF996SA 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N.Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF996SB 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N.Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
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