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參數(shù)資料
| 型號： | BF998WR |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | N-channel dual-gate MOSFET |
| 封裝： | BF998WR<SOT343R (CMPAK-4)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,; |
| 文件頁數(shù)： | 9/13頁 |
| 文件大小： | 255K |
| 代理商： | BF998WR |
1997 Sep 05
9
NXP Semiconductors
Product specification
N-channel dual-gate MOS-FET
BF998WR
V
DD
= 12 V; G
S
= 3.3 mS; G
L
= 1 mS.
L1 = L4 = 200 nH; 11 turns 0.5 mm copper wire, without spacing, internal diameter 3 mm.
L2 = 2 cm, silvered 0.8 mm copper wire, 4 mm above ground plane.
L3 = 2 cm, silvered 0.5 mm copper wire, 4 mm above ground plane.
Fig.16 Gain control test circuit at f = 800 MHz.
VAGC
1 nF
1 nF
1 nF
50
Ω
input
50
Ω
input
1 nF
270
k
Ω
360
Ω
1.8
k
Ω
140
k
Ω
100 k
Ω
VDD
VDD
1 nF
MGC480
VDD
1 nF
1 nF
L1
L2
C1
2-18 pF
C2
0.5-3.5 pF
C3
0.5-3.5 pF
L3
L4
C4
4-40 pF
Fig.17 Automatic gain control characteristics
measured in circuit of Fig.15.
V
DD
= 12 V; f = 200 MHz; T
amb
= 25
C.
0
10
0
50
40
MGC479
30
20
10
2
4
6
8
IDSS=
max
typ
min
Δ
Gtr
(dB)
VAGC(V)
V
DD
= 12 V; f = 800 MHz; T
amb
= 25
C.
Fig.18 Automatic gain control characteristics
measured in circuit of Fig.16.
0
10
0
50
40
MGC478
30
20
10
2
4
6
8
IDSS=
max
typ
min
Δ
Gtr
(dB)
VAGC(V)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BF998 | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF998 | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF998R | N-channel dual-gate MOSFET |
| BF998R | N-channel dual-gate MOSFET |
| BFG135 | NPN 7 GHz wideband transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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