參數(shù)資料
型號： BFG135
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 振蕩器
英文描述： NPN 7 GHz wideband transistor
封裝： BFG135<SOT223 (SOT223)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;
文件頁數(shù)： 10/16頁
文件大?。?/td> 316K
代理商： BFG135
1995 Sep 13
10
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 7GHz wideband transistor
BFG135
Fig.20 Power gain as a function of output power.
f = 900 MHz.
handbook, halfpage
Gp
(dB)
0
0.5
1.5
0
2
6
MEA946
1
POUT(W)
VCE
12.5 V
10 V
7.5 V
4
8
Fig.21 Maximum unilateral power gain as a
function of frequency.
I
C
= 100 mA; V
CE
= 10 V; T
amb
= 25
C.
handbook, halfpage
GUM
(dB)
0
20
30
10
MBB289
10
2
10
3
10
4
10
f (MHz)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFG198 NPN 8 GHz wideband transistor
BFG198 NPN 8 GHz wideband transistor
BFG198 NPN 8 GHz wideband transistor
BFG21W UHF power transistor
BFG21W UHF power transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFG135 T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.15A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BFG135,115 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 150MA 15V 7GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG135,115-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BFG135 Series 15 V 1 W 7 GHz SMT NPN Wideband Transistor - SOT-223-3
BFG135 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-223
BFG135/T1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*