參數(shù)資料
型號(hào)： BFG198
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 8 GHz wideband transistor
封裝： BFG198<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;
文件頁(yè)數(shù)： 4/14頁(yè)
文件大小： 293K
代理商： BFG198
1995 Sep 12
4
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 8 GHz wideband transistor
BFG198
Fig.2 Intermodulation distortion and second order intermodulation distortion test circuit.
handbook, full pagewidth
MBB754
DUT
VBB
C3
R1
L1
C1
C2
L2
input
75
R2
L3
R3
R4
L5
C4
C5
C6
L4
output
75
VCC= 8 V
L6
Ω
Ω
List of components (see test circuit)
Note
1.
Components C5, L1, L3, L4, and R2 are mounted on the underside of the PCB.
The circuit is constructed on a double copper-clad printed circuit board with PTFE dielectric (
r
= 2.2);
thickness
1
16
inch; thickness of copper sheet 2 x 35
m; see Fig.2.
DESIGNATION
DESCRIPTION
VALUE
UNIT
DIMENSIONS
CATALOGUE NO.
C2
C1, C4, C6, C7
C3
C5 (note 1)
C8
L1 (note 1)
multilayer ceramic capacitor
multilayer ceramic capacitor
multilayer ceramic capacitor
multilayer ceramic capacitor
multilayer ceramic capacitor
1.5 turns 0.4 mm copper wire
1.2
10
10
10
1.5
pF
nF
nF
nF
pF
2222 851 12128
2222 590 08627
2222 851 12128
2222 629 08103
2222 851 12158
int. dia. 3 mm;
winding pitch 1 mm
length 22 mm;
width 2.5 mm
length 30 mm
length 4 mm
length 19 mm;
width 2.5 mm
L2
microstripline
75
L3 (note 1)
L4 (note 1)
L5
0.4 mm copper wire
0.4 mm copper wire
microstripline
24
3.6
75
nH
nH
L6
R1
R2 (note 1)
R3, R4
Ferroxcube choke
metal film resistor
metal film resistor
metal film resistor
5
10
220
30
H
3122 108 20153
2322 180 73103
2322 180 73221
2322 180 73309
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BFG198,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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