- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄373018 > BFQ31R TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFQ31R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 15V的五（巴西）總裁| 100mA的一（c）|至236 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | BFQ31R |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| BFT79 | Bipolar PNP Device |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFQ31TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BFQ31TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BFQ34 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-122A |
| BFQ34/01,112 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 BULK TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFQ34/01/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND |
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