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參數(shù)資料
| 型號： | BFQ59 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 35MA I(C) | TO-120 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 35MA一（c）|至120 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | BFQ59 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFR14A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30MA I(C) | TO-120 |
| BFQ621 | NPN 7 GHz wideband transistor |
| BFQ64 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 200MA I(C) | TO-236 |
| BFQ645 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 40MA I(C) | MICRO-X |
| BFQ65 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-37 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFQ591 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 7 GHz wideband transistor |
| BFQ591,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFQ60 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:LOW NOISE NPN SILICON MICROVAVE TRANSISTOR UP TO 2 GHz |
| BFQ621 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 7 GHz wideband transistor |
| BFQ63 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:TO-72 |
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