參數(shù)資料
型號(hào)： BFQ68
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN 4 GHz wideband transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-122A, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大小： 74K
代理商： BFQ68
September 1995
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 4 GHz wideband transistor
BFQ68
Fig.2 Intermodulation distortion MATV test circuit.
f = 40 to 860 MHz.
L1 = L2 = 5
μ
H Ferroxcube choke.
handbook, full pagewidth
MEA273
2.2 nF
2.2 k
L1
2.2 nF
75
180
2.2 nF
L2
2.2 nF
2.2 nF
0.68 pF
DUT
75
VCC
VBB
4.7
1.2
pF
1.2
pF
24
24
1.8 pF
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current.
V
CE
= 10 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
80
40
0
40
80
160
MBB361
120
IC
FE
h
Fig.4
Transition frequency as a function of
collector current.
V
CE
= 15 V; f = 500 MHz; T
j
= 25
°
C
handbook, halfpage
MEA272
0
2
4
10
10
2
10
3
IC
fT
(GHz)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFQ741 NPN 7GHz wideband transistor
BFR101A TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 1.5MA I(DSS) | SOT-143
BFR15A TRANSISTOR | BJT | NPN | 30MA I(C) | TO-72
BFR17 TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18
BFR53 NPN 2 GHz wideband transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFQ68,112 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 BULK TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFQ68/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND
BFQ69 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF Transistor
BFQ70 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF Transistor (For low-noise IF and broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems at collector currents from 2mA to 20mA)
BFQ71 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:NPN Silicon RF Transistor (For broadband amplifiers up to 2 GHz and fast non-saturated switches at collector currents from 1 mA to 20 mA.)
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