參數(shù)資料
型號(hào)： BFR54
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN 9 GHz wideband transistor
中文描述： VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 4/16頁(yè)
文件大?。?/td> 101K
代理商： BFR54
1999 Aug 23
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 9 GHz wideband transistor
BFR540
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Notes
1.
G
UM
is the maximum unilateral power gain, assuming S
12
is zero and
S
1
S
11
–
(
)
1
S
22
–
(
2.
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V; R
L
= 50
;
T
amb
= 25
°
C; f = 900 MHz;
f
p
= 900 MHz; f
q
= 902 MHz;
measured at f
(2p
q)
= 898 MHz and f
(2q
p)
= 904 MHz.
d
im
=
60 dB (DIN 45004B);
V
p
= V
O
; V
q
= V
O
6 dB; f
p
= 795.25 MHz;
V
R
= V
O
6 dB; f
q
= 803.25 MHz; f
r
= 805.25 MHz;
measured at f
(p
+
q-r)
= 793.25 MHz; preliminary data.
3.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
60
TYP.
120
2
0.9
0.6
9
14
MAX. UNIT
I
CBO
h
FE
C
e
C
c
C
re
f
T
G
UM
collector cut-off current
DC current gain
emitter capacitance
collector capacitance
feedback capacitance
transition frequency
maximum unilateral
power gain (note 1)
I
E
= 0; V
CB
= 8 V
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V; f = 1 MHz
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 8 V; f = 1 MHz
I
C
= 0; V
CB
= 8 V; f = 1 MHz
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V; f = 1 GHz
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V;
T
amb
= 25
°
C; f = 900 MHz
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V;
T
amb
= 25
°
C; f = 2 GHz
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V;
T
amb
= 25
°
C; f = 900 MHz
Γ
s
=
Γ
opt
; I
C
= 10 mA; V
CE
= 8 V;
T
amb
= 25
°
C; f = 900 MHz
Γ
s
=
Γ
opt
; I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V;
T
amb
= 25
°
C; f = 900 MHz
Γ
s
=
Γ
opt
; I
C
= 10 mA; V
CE
= 8 V;
T
amb
= 25
°
C; f = 2 GHz
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V; R
L
= 50
;
T
amb
= 25
°
C; f = 900 MHz
note 2
I
C
= 40 mA; V
CE
= 8 V;
Z
L
= Z
S
= 75
; T
amb
= 25
°
C
50
250
nA
pF
pF
pF
GHz
dB
7
dB
S
21
2
insertion power gain
12
13
dB
F
noise figure
1.3
1.8
dB
1.9
2.4
dB
2.1
dB
P
L1
output power at 1 dB gain
compression
third order intercept point
output voltage (note 3)
21
dBm
ITO
V
o
34
550
dBm
mV
G
UM
10
2
2
2
)
----------------------------------------------------------
dB.
log
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFS20TA TRANSISTOR UHF BIPOLAR BREITBAND
BFS20 NPN SILICON PLANAR VHF TRANSISTOR
BFS20 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
BFS21 TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 30V V(BR)DSS | 1MA I(DSS) | TO-52
BFS360L6 ?NPN Silicon TWIN type RF-Transistor in TSLP-6 package ideal for VCO Modules up to 4GHz ?
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFR540 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.12A 3-Pin TO-236AB Bulk 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF TRANSISTOR, NPN, SOT-23
BFR540 T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.12A 3-Pin TO-236AB T/R
BFR540,215 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 120MA 15V 9GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFR540,235 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 15V 120mA 500mW 100 9GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFR540 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-23
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*